ГОСТ РФ
Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045 → Транзисторы
31.080.30. Транзисторы
← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 →
- Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики
Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) - Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики
Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) - Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики
Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) - Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости
Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) - Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости
Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) - Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости
Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) - Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей
Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) - Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей
Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) - Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей
Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) - Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора
Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора