ГОСТ РФ
Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045
31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045
← 1 2 3 4 5 6 7 8 … 34 35 36 37 38 →
- Диоды туннельные типов АИ301А, АИ301Б, АИ301В, АИ301 Г для устройств широкого применения
Tunnel diodes. Types aИ301a, aИ301, aИ301b, aИ301Г for widely used devices - Транзисторы типа ГТ701А для устройств широкого применения
Transistors type Гt701a for wide using equipment - Транзисторы типа ГТ701А для устройств широкого применения
Transistors type Гt701a for wide using equipment - Диоды полупроводниковые. Основные параметры
Semiconductor diodes. Basic parameters
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды, выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (стабисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки) - Диоды полупроводниковые. Основные параметры
Semiconductor diodes. Basic parameters
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды, выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (стабисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки) - Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры
Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters
Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров - Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры
Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters
Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров - Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры
Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters
Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров - Приборы полупроводниковые. Приемники лучистой энергии фотоэлектрические. Классификация и система обозначений
Semiconductor devices. Photoelectric receivers of radiant energy. Classification and system designations
Настоящий стандарт распространяется на неохлаждаемые и охлаждаемые фотоэлектрические полупроводниковые приемники лучистой энергии и устанавливает классификацию и систему единого обозначения фоторезисторов, фотомагнитных приемников, фотоприемников с p-n переходами с внутренним усилением и без внутреннего усиления - Приборы полупроводниковые. Приемники лучистой энергии фотоэлектрические. Классификация и система обозначений
Semiconductor devices. Photoelectric receivers of radiant energy. Classification and system designations
Настоящий стандарт распространяется на неохлаждаемые и охлаждаемые фотоэлектрические полупроводниковые приемники лучистой энергии и устанавливает классификацию и систему единого обозначения фоторезисторов, фотомагнитных приемников, фотоприемников с p-n переходами с внутренним усилением и без внутреннего усиления