ГОСТ РФ
Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА
31. ЭЛЕКТРОНИКА
← 1 2 3 4 5 … 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 … 232 233 234 235 236 →
- Игнитроны. Основные параметры
Ignitrons. Basic parameters
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые игнитроны, предназначенные для сварочных машин, применяемые в схеме встречно-параллельного включения и устанавливает ряды значений основных параметров их допустимые сочетания - Игнитроны. Основные параметры
Ignitrons. Basic parameters
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые игнитроны, предназначенные для сварочных машин, применяемые в схеме встречно-параллельного включения и устанавливает ряды значений основных параметров их допустимые сочетания - Игнитроны. Основные параметры
Ignitrons. Basic parameters
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые игнитроны, предназначенные для сварочных машин, применяемые в схеме встречно-параллельного включения и устанавливает ряды значений основных параметров их допустимые сочетания - Тиратроны тлеющего разряда. Основные параметры
Glow discharge thyratrons tubes. Basic parameters
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые тиратроны тлеющего разряда и устанавливает допускаемые сочетания значений напряжения анода и максимального напряжения входного сигнала - Тиратроны тлеющего разряда. Основные параметры
Glow discharge thyratrons tubes. Basic parameters
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые тиратроны тлеющего разряда и устанавливает допускаемые сочетания значений напряжения анода и максимального напряжения входного сигнала - Тиратроны тлеющего разряда. Основные параметры
Glow discharge thyratrons tubes. Basic parameters
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые тиратроны тлеющего разряда и устанавливает допускаемые сочетания значений напряжения анода и максимального напряжения входного сигнала - Диоды полупроводниковые. Основные параметры
Semiconductor diodes. Basic parameters
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды, выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (стабисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки) - Диоды полупроводниковые. Основные параметры
Semiconductor diodes. Basic parameters
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды, выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (стабисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки) - Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры
Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters
Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров - Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры
Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters
Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров
← 1 2 3 4 5 … 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 … 232 233 234 235 236 →