gostus

ГОСТ РФ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКА

31. ЭЛЕКТРОНИКА

1 2 3 4 567 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77232 233 234 235 236

  • ГОСТ 19834.4-79.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения
    Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения
  • ГОСТ 19834.5-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения
    Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении
  • ГОСТ 19834.5-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения
    Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении
  • ГОСТ 19834.5-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения
    Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении
  • ГОСТ 20003-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
    Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols
    Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
    Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
    Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок
  • ГОСТ 20003-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
    Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols
    Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
    Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
    Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок
  • ГОСТ 20003-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
    Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols
    Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
    Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
    Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок
  • ГОСТ 20186-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Индикаторы вакуумные люминесцентные. Основные параметры
    Vacuum luminescent display tubes. Basic parameters
    Настоящий стандарт распространяется на вакуумные сегментные люминесцентные однозарядные индикаторы и устанавливает значения основных параметров
  • ГОСТ 20186-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Индикаторы вакуумные люминесцентные. Основные параметры
    Vacuum luminescent display tubes. Basic parameters
    Настоящий стандарт распространяется на вакуумные сегментные люминесцентные однозарядные индикаторы и устанавливает значения основных параметров
  • ГОСТ 20215-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия
    Semiconductor microwave diodes. General specifications
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта.
    Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды

1 2 3 4 567 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77232 233 234 235 236

23 сентября 2024:
Обновления в маркировке продуктов: новые правила от ЕЭК Читать далее
7 сентября 2024:
ГОСТ 35075-2024: требования к напиткам на основе зерна, орехов и кокоса Читать далее
5 сентября 2024:
С 1 сентября 2024 года в России вступают в силу новые ГОСТы на полиэтиленовые трубопроводы Читать далее