ГОСТ РФ
Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045
31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045
← 1 2 3 4 5 … 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 →
- Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки
Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечки - Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока
Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока - Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока
Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока - Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока
Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока - Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме
Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режиме - Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме
Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режиме - Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме
Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режиме - Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме
Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме - Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме
Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме - Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме
Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме
← 1 2 3 4 5 … 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 →