ГОСТ РФ
Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА
31. ЭЛЕКТРОНИКА
← 1 2 3 4 5 … 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 … 232 233 234 235 236 →
- Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда
Semiconductor diodes. Methods for measuring life time
Настоящий стандарт распространяется на импульсные, смесительные и умножительные диоды СВЧ.
Стандарт устанавливает два метода измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда: для импульсных и смесительных диодов СВЧ; для импульсных диодов с накоплением заряда и умножительных диодов СВЧ - Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления
Semiconductor diodes. Method for measuring reverse recovery time
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямительные диоды и устанавливает метод измерения времени обратного восстановления - Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления
Semiconductor diodes. Method for measuring reverse recovery time
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямительные диоды и устанавливает метод измерения времени обратного восстановления - Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления
Semiconductor diodes. Method for measuring pulse direct voltage and forword recovery time
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления - Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления
Semiconductor diodes. Method for measuring pulse direct voltage and forword recovery time
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления - Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления
Semiconductor diodes. Method for measuring pulse direct voltage and forword recovery time
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления - Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности
Semiconductor diodes. Methods for measuring inductance
Настоящий стандарт распространяется на все типы полупроводниковых диодов в корпусе, у которых индуктивность более 0,1 нГн. Стандарт устанавливает два метода измерения индуктивности диодов:
метод I - для диодов, индуктивность которых 2 нГн и более;
метод II - для диодов, индуктивность которых менее 2 нГн - Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности
Semiconductor diodes. Methods for measuring inductance
Настоящий стандарт распространяется на все типы полупроводниковых диодов в корпусе, у которых индуктивность более 0,1 нГн. Стандарт устанавливает два метода измерения индуктивности диодов:
метод I - для диодов, индуктивность которых 2 нГн и более;
метод II - для диодов, индуктивность которых менее 2 нГн - Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь
Semiconductor diodes. Total series equivalent resistance measurement methods
Настоящий стандарт распространяется на варикапы и туннельные диоды и устанавливает два метода измерения последовательного сопротивления потерь:
для варикапов, предназначенных для работы в диапазоне от 0,25 до 1000 МГц;
для туннельных диодов - Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь
Semiconductor diodes. Total series equivalent resistance measurement methods
Настоящий стандарт распространяется на варикапы и туннельные диоды и устанавливает два метода измерения последовательного сопротивления потерь:
для варикапов, предназначенных для работы в диапазоне от 0,25 до 1000 МГц;
для туннельных диодов
← 1 2 3 4 5 … 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 … 232 233 234 235 236 →