gostus

ГОСТ РФ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКАПолупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

1 2 3 4 529 30 31 32 33 34 35 36 37 38

  • ГОСТ 24607-88.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Преобразователи частоты полупроводниковые. Общие технические требования
    Semiconductor frequency converters. General technical requirements
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые преобразователи частоты (непосредственные и двухзвенные) с выходными токами от 0,004 до 25000 А, выходными напряжениями от 6 до 20000 В и выходными частотами от 5 до 10000 Гц и устанавливает требования к преобразователям, изготовляемым для нужд народного хозяйства и экспорта.
    Настоящий стандарт не распространяется на бортовые преобразователи, работающие во взрывоопасных средах, средах с токопроводящей пылью и на преобразователи, предназначенные для использования в технологических процессах с синхронно-гистерезисными двигателями
  • ГОСТ 25529-82.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
    Semiconductor diodes. Terms, definitions and letter symbols
    Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов
  • ГОСТ 25529-82.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
    Semiconductor diodes. Terms, definitions and letter symbols
    Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов
  • ГОСТ 25529-82.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
    Semiconductor diodes. Terms, definitions and letter symbols
    Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов
  • ГОСТ 27264-87.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений
    Power bipolar transistors. Measurement methods
    Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные, на токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров
  • ГОСТ 27264-87.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений
    Power bipolar transistors. Measurement methods
    Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные, на токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров
  • ГОСТ 27264-87.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений
    Power bipolar transistors. Measurement methods
    Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные, на токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров
  • ГОСТ 27299-87.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
    Semiconductor optoelectronic devices. Terms, definitions and letter symbols of parameters
    Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых излучателей, оптопар, оптоэлектронных переключателей логических сигналов, оптоэлектронных коммутаторов аналогового сигнала и оптоэлектронных коммутаторов нагрузки.
    Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности
  • ГОСТ 27299-87.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
    Semiconductor optoelectronic devices. Terms, definitions and letter symbols of parameters
    Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых излучателей, оптопар, оптоэлектронных переключателей логических сигналов, оптоэлектронных коммутаторов аналогового сигнала и оптоэлектронных коммутаторов нагрузки.
    Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности
  • ГОСТ 27299-87.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
    Semiconductor optoelectronic devices. Terms, definitions and letter symbols of parameters
    Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых излучателей, оптопар, оптоэлектронных переключателей логических сигналов, оптоэлектронных коммутаторов аналогового сигнала и оптоэлектронных коммутаторов нагрузки.
    Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности

1 2 3 4 529 30 31 32 33 34 35 36 37 38

26 апреля 2024:
ГОСТ на баночную зернистую лососевую икру будет пересмотрен Читать далее
8 апреля 2024:
Россельхознадзор усилит контроль за продажей фальсифицированных товаров в магазинах Читать далее
5 апреля 2024:
Экспериментальная цифровая маркировка отопительных устройств Читать далее