gostus

ГОСТ РФ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКАПолупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

1 2 3 4 5 6 7 8 9 1034 35 36 37 38

  • ГОСТ 18604.0-83.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров
    Bipolar transistors. General requirements for measuring of electrical parameters
    Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений
  • ГОСТ 18604.0-83.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров
    Bipolar transistors. General requirements for measuring of electrical parameters
    Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений
  • ГОСТ 18604.0-83.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров
    Bipolar transistors. General requirements for measuring of electrical parameters
    Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений
  • ГОСТ 18604.1-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
    Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies
    Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
  • ГОСТ 18604.1-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
    Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies
    Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
  • ГОСТ 18604.1-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
    Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies
    Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
  • ГОСТ 18604.2-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока
    Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах
  • ГОСТ 18604.2-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока
    Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах
  • ГОСТ 18604.2-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока
    Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах
  • ГОСТ 18604.3-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов
    Transistors bipolar. Methods for measuring collector and emitter capacitances
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов:
    с использованием резистивно-емкостного делителя;
    с использованием моста.
    Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности.
    Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности

1 2 3 4 5 6 7 8 9 1034 35 36 37 38

26 апреля 2024:
ГОСТ на баночную зернистую лососевую икру будет пересмотрен Читать далее
8 апреля 2024:
Россельхознадзор усилит контроль за продажей фальсифицированных товаров в магазинах Читать далее
5 апреля 2024:
Экспериментальная цифровая маркировка отопительных устройств Читать далее