ГОСТ РФ
Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045
31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045
← 1 2 3 4 5 … 32 33 34 35 36 37 38 →
- Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 2. Выпрямительные диоды
Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 2. Rectifire diodes
Настоящий стандарт применяется для разработки технических условий на выпрямительные диоды, в том числе подлежащие сертификации. В стандарте приводятся требования для приборов следующих классов: выпрямительные диоды, включая: лавинные выпрямительные диоды, выпрямительные диоды с управляемым лавинным пробоем, выпрямительные диоды с быстрым переключением - Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения
Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes
Настоящий стандарт применяется для разработки технических условий на сигнальные диоды, в том числе подлежащие сертификации - Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения
Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes
Настоящий стандарт применяется для разработки технических условий на сигнальные диоды, в том числе подлежащие сертификации - Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения
Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes
Настоящий стандарт применяется для разработки технических условий на сигнальные диоды, в том числе подлежащие сертификации - Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия
Power semiconductor modules. General specifications
Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули общего назначения, состоящие из полупроводниковых приборов и (или) структур: диодов, биполярных (в том числе составных) транзисторов, полевых транзисторов и тиристоров всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 5 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на модули, работающие:
- в средах с токопроводящей пылью;
- в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
- во взрывоопасной среде;
- в условиях воздействия различных излучений, повреждающих модули - Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия
Power semiconductor modules. General specifications
Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули общего назначения, состоящие из полупроводниковых приборов и (или) структур: диодов, биполярных (в том числе составных) транзисторов, полевых транзисторов и тиристоров всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 5 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на модули, работающие:
- в средах с токопроводящей пылью;
- в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
- во взрывоопасной среде;
- в условиях воздействия различных излучений, повреждающих модули - Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия
Power semiconductor modules. General specifications
Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули общего назначения, состоящие из полупроводниковых приборов и (или) структур: диодов, биполярных (в том числе составных) транзисторов, полевых транзисторов и тиристоров всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 5 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на модули, работающие:
- в средах с токопроводящей пылью;
- в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
- во взрывоопасной среде;
- в условиях воздействия различных излучений, повреждающих модули - Излучатели полупроводниковые. Метод измерения угла излучения
Semiconductor photoemitters. Measuring method for halfintensity angle
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает метод измерения угла излучения. Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 19834.0, термины - по ГОСТ 27299 - Излучатели полупроводниковые. Метод измерения угла излучения
Semiconductor photoemitters. Measuring method for halfintensity angle
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает метод измерения угла излучения. Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 19834.0, термины - по ГОСТ 27299 - Излучатели полупроводниковые. Метод измерения угла излучения
Semiconductor photoemitters. Measuring method for halfintensity angle
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает метод измерения угла излучения. Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 19834.0, термины - по ГОСТ 27299