ГОСТ РФ
Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
29. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
← 1 2 3 4 5 … 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 … 439 440 441 442 443 →
- Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Общие требования к методам анализа
Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. General requirements for methods of analysis
Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам анализа полупроводникового кремния, исходных продуктов для его получения ( технический кремний, четыреххлористый кремний, хлорсиланы, двуокись кремния) и кварца - Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Общие требования к методам анализа
Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. General requirements for methods of analysis
Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам анализа полупроводникового кремния, исходных продуктов для его получения ( технический кремний, четыреххлористый кремний, хлорсиланы, двуокись кремния) и кварца - Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Общие требования к методам анализа
Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. General requirements for methods of analysis
Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам анализа полупроводникового кремния, исходных продуктов для его получения ( технический кремний, четыреххлористый кремний, хлорсиланы, двуокись кремния) и кварца - Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей
Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination
Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане - Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей
Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination
Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане - Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей
Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination
Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане - Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора
Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination
Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии - Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора
Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination
Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии - Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора
Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination
Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии - Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения фосфора
Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of phosphorus determination
Настоящий стандарт устанавливает экстракционно-фотометрический метод определения фосфора в техническом кремнии, экстракционно-колориметрический метод определения фосфора в трихлорсилане и тетрахлориде кремния и двуокиси кремния (синтетическом кварце); нейтронно-активационный метод определения фосфора в полупроводниковом кремнии
← 1 2 3 4 5 … 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 … 439 440 441 442 443 →