gostus

ГОСТ РФ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКА

31. ЭЛЕКТРОНИКА

1 2 3 4 5191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201232 233 234 235 236

  • ГОСТ 28623-90.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Приборы полупроводниковые. Часть 10. Общие технические условия на дискретные приборы и интегральные микросхемы
    Semiconductor devices. Part 10. General specification for discrete devices and integrated circuits
    Настоящий стандарт устанавливает общие технические условия на полупроводниковые приборы, дискретные приборы и интегральные микросхемы, включая многокристальные микросхемы, за исключением оптоэлектронных приборов и интегральных микросхем
  • ГОСТ 28623-90.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Приборы полупроводниковые. Часть 10. Общие технические условия на дискретные приборы и интегральные микросхемы
    Semiconductor devices. Part 10. General specification for discrete devices and integrated circuits
    Настоящий стандарт устанавливает общие технические условия на полупроводниковые приборы, дискретные приборы и интегральные микросхемы, включая многокристальные микросхемы, за исключением оптоэлектронных приборов и интегральных микросхем
  • ГОСТ 28623-90.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Приборы полупроводниковые. Часть 10. Общие технические условия на дискретные приборы и интегральные микросхемы
    Semiconductor devices. Part 10. General specification for discrete devices and integrated circuits
    Настоящий стандарт устанавливает общие технические условия на полупроводниковые приборы, дискретные приборы и интегральные микросхемы, включая многокристальные микросхемы, за исключением оптоэлектронных приборов и интегральных микросхем
  • ГОСТ 28624-90.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы
    Semiconductor devices. Part 11. Sectional specification for discrete devices
    Настоящий стандарт распространяетя на полупроводниковые дискретные приборы, за исключением оптоэлектронных приборов
  • ГОСТ 28624-90.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы
    Semiconductor devices. Part 11. Sectional specification for discrete devices
    Настоящий стандарт распространяетя на полупроводниковые дискретные приборы, за исключением оптоэлектронных приборов
  • ГОСТ 28624-90.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы
    Semiconductor devices. Part 11. Sectional specification for discrete devices
    Настоящий стандарт распространяетя на полупроводниковые дискретные приборы, за исключением оптоэлектронных приборов
  • ГОСТ 28625-90.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией
    Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes. Section 2. Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes, excluding temperature-compensated precision reference diodes
    Настоящая форма технических условий (ТУ) является одной из форм ТУ на полупроводниковые приборы
  • ГОСТ 28625-90.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией
    Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes. Section 2. Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes, excluding temperature-compensated precision reference diodes
    Настоящая форма технических условий (ТУ) является одной из форм ТУ на полупроводниковые приборы
  • ГОСТ 28625-90.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией
    Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes. Section 2. Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes, excluding temperature-compensated precision reference diodes
    Настоящая форма технических условий (ТУ) является одной из форм ТУ на полупроводниковые приборы
  • ГОСТ 28626-90.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Терморезисторы косвенного подогрева с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. Общие технические условия
    Indirectly heated thermistors with negative temperature coefficient of resistance. General specification
    Настоящий стандарт распространяется на терморезисторы косвенного подогрева с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, защищенные, изолированные или неизолированные, предназначенные для использования в электротехнической и электронной аппаратуре

1 2 3 4 5191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201232 233 234 235 236

5 декабря 2024:
Проверка данных о маркировке: начнётся эксперимент в системе «Честный ЗНАК» Читать далее
22 ноября 2024:
Повысятся ли затраты на сертификацию с 2025 года? Читать далее
7 ноября 2024:
Терминология кабельной продукции обновлена: ГОСТ 15845-2024 Читать далее