gostus

ГОСТ РФ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКАПолупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 1634 35 36 37 38

  • ГОСТ 18604.26-85.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров
    Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки, времени нарастания, времени включения, времени рассасывания, времени спада, времени выключения
  • ГОСТ 18604.26-85.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров
    Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки, времени нарастания, времени включения, времени рассасывания, времени спада, времени выключения
  • ГОСТ 18604.26-85.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров
    Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки, времени нарастания, времени включения, времени рассасывания, времени спада, времени выключения
  • ГОСТ 18604.27-86.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора)
    Power high-voltage bipolar transistors. Collector-base (emitter-base) breakdown voltage measurement at emitter (collector) cut-off current
    Настоящий стандарт распространяется на мощные высоковольтные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения пробивного напряжения коллектор-база и эмиттер-база с использованием источника напряжения
  • ГОСТ 18604.27-86.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора)
    Power high-voltage bipolar transistors. Collector-base (emitter-base) breakdown voltage measurement at emitter (collector) cut-off current
    Настоящий стандарт распространяется на мощные высоковольтные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения пробивного напряжения коллектор-база и эмиттер-база с использованием источника напряжения
  • ГОСТ 18604.27-86.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора)
    Power high-voltage bipolar transistors. Collector-base (emitter-base) breakdown voltage measurement at emitter (collector) cut-off current
    Настоящий стандарт распространяется на мощные высоковольтные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения пробивного напряжения коллектор-база и эмиттер-база с использованием источника напряжения
  • ГОСТ 18986.0-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения
    Semiconductor diodes. Measuring methods for electrical parameters. General requirements
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды: выпрямительные, универсальные, испульсные, туннельные, варикапы, стабилизаторы, генераторы шума и диоды СВЧ ( в части низкочастотных и статических параметров) и устанавливает общие требования для методов измерения электрических параметров
  • ГОСТ 18986.0-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения
    Semiconductor diodes. Measuring methods for electrical parameters. General requirements
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды: выпрямительные, универсальные, испульсные, туннельные, варикапы, стабилизаторы, генераторы шума и диоды СВЧ ( в части низкочастотных и статических параметров) и устанавливает общие требования для методов измерения электрических параметров
  • ГОСТ 18986.0-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения
    Semiconductor diodes. Measuring methods for electrical parameters. General requirements
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды: выпрямительные, универсальные, испульсные, туннельные, варикапы, стабилизаторы, генераторы шума и диоды СВЧ ( в части низкочастотных и статических параметров) и устанавливает общие требования для методов измерения электрических параметров
  • ГОСТ 18986.1-73.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока
    Semiconductor diodes. Method for measuring direct reverse current
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения постоянного обратного тока.
    Стандарт не распространяется на выпрямительные блоки

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 1634 35 36 37 38

26 апреля 2024:
ГОСТ на баночную зернистую лососевую икру будет пересмотрен Читать далее
8 апреля 2024:
Россельхознадзор усилит контроль за продажей фальсифицированных товаров в магазинах Читать далее
5 апреля 2024:
Экспериментальная цифровая маркировка отопительных устройств Читать далее