ГОСТ РФ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОТЕХНИКАПолупроводниковые материалы

29.045. Полупроводниковые материалы

1 2 3 4 5 6

  • ГОСТ 26239.1-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей
    Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination
    Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане
  • ГОСТ 26239.1-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей
    Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination
    Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане
  • ГОСТ 26239.1-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей
    Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination
    Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане
  • ГОСТ 26239.2-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора
    Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination
    Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии
  • ГОСТ 26239.2-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора
    Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination
    Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии
  • ГОСТ 26239.2-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора
    Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination
    Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии
  • ГОСТ 26239.3-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения фосфора
    Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of phosphorus determination
    Настоящий стандарт устанавливает экстракционно-фотометрический метод определения фосфора в техническом кремнии, экстракционно-колориметрический метод определения фосфора в трихлорсилане и тетрахлориде кремния и двуокиси кремния (синтетическом кварце); нейтронно-активационный метод определения фосфора в полупроводниковом кремнии
  • ГОСТ 26239.3-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения фосфора
    Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of phosphorus determination
    Настоящий стандарт устанавливает экстракционно-фотометрический метод определения фосфора в техническом кремнии, экстракционно-колориметрический метод определения фосфора в трихлорсилане и тетрахлориде кремния и двуокиси кремния (синтетическом кварце); нейтронно-активационный метод определения фосфора в полупроводниковом кремнии
  • ГОСТ 26239.3-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения фосфора
    Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of phosphorus determination
    Настоящий стандарт устанавливает экстракционно-фотометрический метод определения фосфора в техническом кремнии, экстракционно-колориметрический метод определения фосфора в трихлорсилане и тетрахлориде кремния и двуокиси кремния (синтетическом кварце); нейтронно-активационный метод определения фосфора в полупроводниковом кремнии
  • ГОСТ 26239.5-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый и кварц. Метод определения примесей
    Semiconductor silicon and quartz. Method of impurities determination
    Настоящий стандарт устанавливает нейтронно-активационный метод определения примесей в нелегированном полупроводниковом кремнии и кварце.
    Метод не распространяется для анализа кремния марок КЭС-0,01 и КЭМ-0,01

1 2 3 4 5 6

26 января 2022:
Нововведения в сертификации, запланированные на 2022 год Читать далее
18 января 2022:
На какую продукцию распространяется ТР ТС 046/2018? Читать далее
8 января 2022:
Срок действия СГР на косметику и парфюмерию, для которых изменились требования Читать далее