ГОСТ РФ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОТЕХНИКАПолупроводниковые материалы

29.045. Полупроводниковые материалы

1 2 3 4 5 6

  • ГОСТ 26239.5-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый и кварц. Метод определения примесей
    Semiconductor silicon and quartz. Method of impurities determination
    Настоящий стандарт устанавливает нейтронно-активационный метод определения примесей в нелегированном полупроводниковом кремнии и кварце.
    Метод не распространяется для анализа кремния марок КЭС-0,01 и КЭМ-0,01
  • ГОСТ 26239.5-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый и кварц. Метод определения примесей
    Semiconductor silicon and quartz. Method of impurities determination
    Настоящий стандарт устанавливает нейтронно-активационный метод определения примесей в нелегированном полупроводниковом кремнии и кварце.
    Метод не распространяется для анализа кремния марок КЭС-0,01 и КЭМ-0,01
  • ГОСТ 26239.6-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний четыреххлористый. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана
    Silicon tetrachloride. Method of dichlorsilane, trichlorsilane, silicon tetrachloride, 1,3,3,3-tetrachlordisiloxane, 1,1,3,3-tetrachlordisilane, pentachlordisiloxane, hexachlordisiloxane, hexaclordisilane determination
    Настоящий стандарт устанавливает хроматографический метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана в четыреххлористом кремнии
  • ГОСТ 26239.6-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний четыреххлористый. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана
    Silicon tetrachloride. Method of dichlorsilane, trichlorsilane, silicon tetrachloride, 1,3,3,3-tetrachlordisiloxane, 1,1,3,3-tetrachlordisilane, pentachlordisiloxane, hexachlordisiloxane, hexaclordisilane determination
    Настоящий стандарт устанавливает хроматографический метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана в четыреххлористом кремнии
  • ГОСТ 26239.6-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний четыреххлористый. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана
    Silicon tetrachloride. Method of dichlorsilane, trichlorsilane, silicon tetrachloride, 1,3,3,3-tetrachlordisiloxane, 1,1,3,3-tetrachlordisilane, pentachlordisiloxane, hexachlordisiloxane, hexaclordisilane determination
    Настоящий стандарт устанавливает хроматографический метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана в четыреххлористом кремнии
  • ГОСТ 26239.7-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый. Метод определения кислорода, углерода и азота
    Semiconductor silicon. Method of oxygen, carbon and nitrogen determination
    Настоящий стандарт устанавливает метод определения кислорода, углерода и азота в полупроводниковом кремнии с использованием активации ускоренными ионами и протонами
  • ГОСТ 26239.7-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый. Метод определения кислорода, углерода и азота
    Semiconductor silicon. Method of oxygen, carbon and nitrogen determination
    Настоящий стандарт устанавливает метод определения кислорода, углерода и азота в полупроводниковом кремнии с использованием активации ускоренными ионами и протонами
  • ГОСТ 26239.7-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый. Метод определения кислорода, углерода и азота
    Semiconductor silicon. Method of oxygen, carbon and nitrogen determination
    Настоящий стандарт устанавливает метод определения кислорода, углерода и азота в полупроводниковом кремнии с использованием активации ускоренными ионами и протонами
  • ГОСТ 26239.8-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния
    Semiconductor silicon and raw materials for its production. Method of dichlorsilane, trichlorsilane and silicon tetrachloride determination
    Настоящий стандарт устанавливает метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния в четыреххлористом кремнии ректификационно очищенном и в смесях четыреххлористого кремния с трихлорсиланом
  • ГОСТ 26239.8-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния
    Semiconductor silicon and raw materials for its production. Method of dichlorsilane, trichlorsilane and silicon tetrachloride determination
    Настоящий стандарт устанавливает метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния в четыреххлористом кремнии ректификационно очищенном и в смесях четыреххлористого кремния с трихлорсиланом

1 2 3 4 5 6

26 января 2022:
Нововведения в сертификации, запланированные на 2022 год Читать далее
18 января 2022:
На какую продукцию распространяется ТР ТС 046/2018? Читать далее
8 января 2022:
Срок действия СГР на косметику и парфюмерию, для которых изменились требования Читать далее