gostus

ГОСТ РФ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКАПолупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045Диоды

31.080.10. Диоды

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

  • ГОСТ 19656.16-86.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей
    Semiconductor microwave limiter diodes. Measurement method of break-down and leakage powers
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые ограничительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей в непрерывном режиме
  • ГОСТ 19656.16-86.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей
    Semiconductor microwave limiter diodes. Measurement method of break-down and leakage powers
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые ограничительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей в непрерывном режиме
  • ГОСТ 19656.16-86.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей
    Semiconductor microwave limiter diodes. Measurement method of break-down and leakage powers
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые ограничительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей в непрерывном режиме
  • ГОСТ 19834.4-79.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения
    Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения
  • ГОСТ 19834.4-79.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения
    Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения
  • ГОСТ 19834.5-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения
    Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении
  • ГОСТ 19834.5-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения
    Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении
  • ГОСТ 19834.5-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения
    Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении
  • ГОСТ 20215-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия
    Semiconductor microwave diodes. General specifications
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта.
    Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды
  • ГОСТ 20215-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия
    Semiconductor microwave diodes. General specifications
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта.
    Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

26 апреля 2024:
ГОСТ на баночную зернистую лососевую икру будет пересмотрен Читать далее
8 апреля 2024:
Россельхознадзор усилит контроль за продажей фальсифицированных товаров в магазинах Читать далее
5 апреля 2024:
Экспериментальная цифровая маркировка отопительных устройств Читать далее