gostus

ГОСТ РФ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКАПолупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045Диоды

31.080.10. Диоды

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

  • ГОСТ 18986.10-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности
    Semiconductor diodes. Methods for measuring inductance
    Настоящий стандарт распространяется на все типы полупроводниковых диодов в корпусе, у которых индуктивность более 0,1 нГн. Стандарт устанавливает два метода измерения индуктивности диодов:
    метод I - для диодов, индуктивность которых 2 нГн и более;
    метод II - для диодов, индуктивность которых менее 2 нГн
  • ГОСТ 18986.11-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь
    Semiconductor diodes. Total series equivalent resistance measurement methods
    Настоящий стандарт распространяется на варикапы и туннельные диоды и устанавливает два метода измерения последовательного сопротивления потерь:
    для варикапов, предназначенных для работы в диапазоне от 0,25 до 1000 МГц;
    для туннельных диодов
  • ГОСТ 18986.11-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь
    Semiconductor diodes. Total series equivalent resistance measurement methods
    Настоящий стандарт распространяется на варикапы и туннельные диоды и устанавливает два метода измерения последовательного сопротивления потерь:
    для варикапов, предназначенных для работы в диапазоне от 0,25 до 1000 МГц;
    для туннельных диодов
  • ГОСТ 18986.11-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь
    Semiconductor diodes. Total series equivalent resistance measurement methods
    Настоящий стандарт распространяется на варикапы и туннельные диоды и устанавливает два метода измерения последовательного сопротивления потерь:
    для варикапов, предназначенных для работы в диапазоне от 0,25 до 1000 МГц;
    для туннельных диодов
  • ГОСТ 18986.12-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода
    Semiconductor tunnel diodes. Method for measuring negative conductance of the intrinsic diode
    Настоящий стандарт распространяется на туннельные полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения отрицательной проводимости
  • ГОСТ 18986.12-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода
    Semiconductor tunnel diodes. Method for measuring negative conductance of the intrinsic diode
    Настоящий стандарт распространяется на туннельные полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения отрицательной проводимости
  • ГОСТ 18986.13-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора
    Semiconductor tunnel diodes. Methods for measuring peak point current, valley point current, peak point voltage, valley point voltage, projected peak point voltage
    Настоящий стандарт распространяется на туннельные полупроводниковые диоды и устанавливает методы измерения параметров вольтамперной характеристики диода: пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора
  • ГОСТ 18986.13-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора
    Semiconductor tunnel diodes. Methods for measuring peak point current, valley point current, peak point voltage, valley point voltage, projected peak point voltage
    Настоящий стандарт распространяется на туннельные полупроводниковые диоды и устанавливает методы измерения параметров вольтамперной характеристики диода: пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора
  • ГОСТ 18986.13-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора
    Semiconductor tunnel diodes. Methods for measuring peak point current, valley point current, peak point voltage, valley point voltage, projected peak point voltage
    Настоящий стандарт распространяется на туннельные полупроводниковые диоды и устанавливает методы измерения параметров вольтамперной характеристики диода: пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора
  • ГОСТ 18986.14-85.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений
    Semiconductor diodes. Methods for measuring differential and slope resistances
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает следующие методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений: метод замещения; резонансный метод с параллельным контуром; резонансный метод с последовательным контуром; мостовой метод.
    Стандарт не распространяется на стабилитроны

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

26 апреля 2024:
ГОСТ на баночную зернистую лососевую икру будет пересмотрен Читать далее
8 апреля 2024:
Россельхознадзор усилит контроль за продажей фальсифицированных товаров в магазинах Читать далее
5 апреля 2024:
Экспериментальная цифровая маркировка отопительных устройств Читать далее