gostus

ГОСТ РФ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКАПолупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045Диоды

31.080.10. Диоды

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

  • ГОСТ 20215-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия
    Semiconductor microwave diodes. General specifications
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта.
    Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды
  • ГОСТ 23448-79.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры
    Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов
  • ГОСТ 23448-79.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры
    Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов
  • ГОСТ 23448-79.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры
    Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов
  • ГОСТ 25529-82.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
    Semiconductor diodes. Terms, definitions and letter symbols
    Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов
  • ГОСТ 25529-82.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
    Semiconductor diodes. Terms, definitions and letter symbols
    Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов
  • ГОСТ 25529-82.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
    Semiconductor diodes. Terms, definitions and letter symbols
    Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов
  • ГОСТ 28625-90.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией
    Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes. Section 2. Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes, excluding temperature-compensated precision reference diodes
    Настоящая форма технических условий (ТУ) является одной из форм ТУ на полупроводниковые приборы
  • ГОСТ 28625-90.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией
    Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes. Section 2. Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes, excluding temperature-compensated precision reference diodes
    Настоящая форма технических условий (ТУ) является одной из форм ТУ на полупроводниковые приборы
  • ГОСТ 28625-90.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией
    Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes. Section 2. Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes, excluding temperature-compensated precision reference diodes
    Настоящая форма технических условий (ТУ) является одной из форм ТУ на полупроводниковые приборы

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

26 апреля 2024:
ГОСТ на баночную зернистую лососевую икру будет пересмотрен Читать далее
8 апреля 2024:
Россельхознадзор усилит контроль за продажей фальсифицированных товаров в магазинах Читать далее
5 апреля 2024:
Экспериментальная цифровая маркировка отопительных устройств Читать далее