ГОСТ РФ
Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045 → Диоды
31.080.10. Диоды
← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 →
- Диоды полупроводниковые. Метод измерения заряда восстановления
Semiconductor diodes. Method for measuring recovery charge
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямительные диоды, а также на переключательные диоды диапазона СВЧ, у которых накопленный заряд может быть принят равным заряду восстановления и устанавливает метод измерения заряда восстановления - Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда
Semiconductor diodes. Methods for measuring life time
Настоящий стандарт распространяется на импульсные, смесительные и умножительные диоды СВЧ.
Стандарт устанавливает два метода измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда: для импульсных и смесительных диодов СВЧ; для импульсных диодов с накоплением заряда и умножительных диодов СВЧ - Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда
Semiconductor diodes. Methods for measuring life time
Настоящий стандарт распространяется на импульсные, смесительные и умножительные диоды СВЧ.
Стандарт устанавливает два метода измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда: для импульсных и смесительных диодов СВЧ; для импульсных диодов с накоплением заряда и умножительных диодов СВЧ - Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда
Semiconductor diodes. Methods for measuring life time
Настоящий стандарт распространяется на импульсные, смесительные и умножительные диоды СВЧ.
Стандарт устанавливает два метода измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда: для импульсных и смесительных диодов СВЧ; для импульсных диодов с накоплением заряда и умножительных диодов СВЧ - Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления
Semiconductor diodes. Method for measuring reverse recovery time
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямительные диоды и устанавливает метод измерения времени обратного восстановления - Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления
Semiconductor diodes. Method for measuring reverse recovery time
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямительные диоды и устанавливает метод измерения времени обратного восстановления - Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления
Semiconductor diodes. Method for measuring pulse direct voltage and forword recovery time
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления - Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления
Semiconductor diodes. Method for measuring pulse direct voltage and forword recovery time
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления - Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления
Semiconductor diodes. Method for measuring pulse direct voltage and forword recovery time
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления - Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности
Semiconductor diodes. Methods for measuring inductance
Настоящий стандарт распространяется на все типы полупроводниковых диодов в корпусе, у которых индуктивность более 0,1 нГн. Стандарт устанавливает два метода измерения индуктивности диодов:
метод I - для диодов, индуктивность которых 2 нГн и более;
метод II - для диодов, индуктивность которых менее 2 нГн